特種氣體屬于光電子學(xué)，微電子學(xué)等領(lǐng)域，特別是以大規(guī)模集成電路，液晶顯示裝置，非晶硅薄膜太陽能電池，半導(dǎo)體發(fā)光裝置和半導(dǎo)體材料制造工藝的形式。它的純度和清潔度直接影響光電子，微電子元件的質(zhì)量，集成度，特定的技術(shù)規(guī)格和成品率，并從根本上限制電路和器件的精度。半導(dǎo)體照明正在興起。隨著化合物半導(dǎo)體市場的擴大，對特種氣體的需求呈現(xiàn)出更大的增長趨勢。外延生長需要大量的超純源和工藝氣體。目前，臺灣和日本的化合物半導(dǎo)體市場具有很高的市場份額。近年來，中國和韓國的發(fā)展勢頭強勁，北美和歐洲的份額也有所增加。半導(dǎo)體技術(shù)中使用的特殊氣體對生產(chǎn)，填充，運輸和存儲有嚴格的技術(shù)要求。因此，目前國內(nèi)市場較大，供應(yīng)量較小。 LED行業(yè)中使用的特種氣體半導(dǎo)體行業(yè)中的氣體種類繁多，對質(zhì)量的要求高，且用量低，且大多數(shù)為有毒或腐蝕性氣體。有一百多個品種。半導(dǎo)體行業(yè)中特種氣體的分類，包括：1.硅氣體：硅基硅烷，例如硅烷，二氯二氫硅烷，乙硅烷等。2.摻雜氣體：硼，磷，砷等。以及五組原子氣體諸如三氯化硼，三氟化硼，膦，ine等。 3.蝕刻清潔氣體：主要包含鹵化物和鹵化碳化合物，例如氯氣，三氟化氮，溴化氫，四氟化碳，六氟乙烷等。 4.反應(yīng)氣體：主要是基于碳的和基于氮的氧化物，例如二氧化碳，氨和一氧化二氮。 5.金屬氣相沉積氣體：包含鹵化金屬和有機烷烴金屬，例如六氟化鎢或三甲基鎵。在LED產(chǎn)業(yè)鏈中，外延技術(shù)，設(shè)備和材料是外延晶圓制造技術(shù)的關(guān)鍵。當前的MOCVD工藝已成為制造大多數(shù)光電材料的基本技術(shù)。外延技術(shù)所需的超純特種氣體包括高純砷，高純膦，高純氨，砷化鎵生產(chǎn)中的硅烷N型摻雜，氯化氫和氯氣通常用作蝕刻氣體，氬氣，氫氣和氮。它是必要的載氣。同時，外延生長所需的有機源主要是三甲基鎵，三甲基銦，三甲基鋁，二乙基鋅，二甲基鋅，二茂鐵等?，F(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展對這些產(chǎn)品的質(zhì)量要求越來越高。在半導(dǎo)體化合物的生產(chǎn)過程中，除了純特種外，還需要一些混合氣體，主要包括SiH4 / H2.SiH4 / N2作為成膜源。盡管劑量不大，但是產(chǎn)品質(zhì)量極高，并且制備了混合氣體。露點低于-95°C，是確保外延晶圓生長良率的唯一方法。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動了原材料市場的快速增長，包括晶片，基板，蝕刻劑，工藝氣體，有機金屬化合物，測試和包裝材料，其每年增長約21％，而工藝氣體（砷，磷化氫，氨，氬，氫，氮，氯化氫，氯等占原料總消耗的8％。