摻雜劑氣體：在半導(dǎo)體器件和集成電路的制造中，某些雜質(zhì)或某些雜質(zhì)被摻雜到半導(dǎo)體材料中，從而使該材料具有所需的導(dǎo)電類型和一定的電阻率。它用于制作PN結(jié)，電阻，掩埋層等。摻雜過程中使用的氣體摻雜源稱為摻雜氣體。它主要包括砷，膦，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷。通常，摻雜源和載氣（例如氬氣和氮氣）在源機柜中混合。混合后，氣流連續(xù)流入擴散爐并包圍晶片。化合物摻雜物沉積在晶片表面上，與硅反應(yīng)生成摻雜金屬遷移到硅中。