應根據雜質的具體條件及其在所用工業氫中的含量和生產要求，確定工業氫的純化方法和工藝。同時，應確定凈化劑及其數量，以及凈化設備的大小和數量。安裝凈化系統時，必須首先考慮凈化劑的順序。由于對氫純度的不同要求，系統在安裝過程中必須具有以下要求：1.所用的各種純化劑必須具有高純度，并且必須同時純化。效果更好，不與氫反應，不消耗氫，處理量大，提純速度快，可連續使用，活化活化方便。 2.凈化劑的安裝應根據凈化劑的凈化能力（從強到弱）以及各種凈化劑的特性和要求來確定。通常，脫氧后應除去水。 3.要求凈化器通常需要兩套設備，一套用于再生，另一套用于備用。 4.凈化設備應簡單，管線應盡可能短，管線的連續側必須密封，要求凈化設備和管線不要與凈化劑反應。氫氣提純工藝工業上有多種獲得氫氣的方法，并且來源非常豐富。各種來源的氫氣都可以用作高純度金屬冶煉（例如，SiCl4或SiHCl3還原法可生產多晶硅和硅外延）。通常認為是電解氫。高純度，易于純化。常用的純化方法有兩種，一種是催化脫氧和吸附干燥法，另一種是鈀合金擴散法。鈀合金擴散法是國內外比較先進的提純氫的方法。但是，鈀合金膜的設備和材料相對匱乏，使用鈀合金膜時，氫氣仍需要提前凈化。因此，該方法未被廣泛使用。催化脫氧吸附干燥法比較經濟，應用廣泛。方法。 1.催化脫氧吸附干燥電解氫氣，回火劑，脫脂劑，鎳鉻接觸劑，水冷卻器，過冷器，（兩套）反應器，粗制氫劑，反應器，鎳鉻接觸劑的過程rrar，水冷rrar，硅膠rrr，硅膠rrr，分子篩rrr，分子篩rrar，粗濾器rrr，細濾器rrar，純氫2?；鼗鹌鞯脑砗蚇i-Cr接觸劑的原理當氫氣和其他氣體時燃燒后，氣體可以通過調溫器起到緩沖和散熱的作用，因為調溫器包含一些用于散熱和隔離的散熱物質（例如刨花和活性銅等物質）。 Ni-Cr接觸劑通常安裝在凈化劑的前面。當氫中的氧通過Ni-Cr接觸劑時，氧被轉化為水，達到脫氧的目的。反應如下：2H2 + O2rarr，（Ni-Cr催化劑80?100℃）2H2O最理想的氫純化工藝是去除氫中的所有雜質。實際上，很難完全沒有雜質。當前使用的鈀合金擴散是一種更先進的方法。鈀膜凈化劑的鈀合金擴散法的原理是使氫進入鈀合金擴散室。在300?500的溫度下，氫被吸附在鈀壁上，在鈀的催化下（H2mdash，mdash，2H +）氫被離子化成質子。由于鈀的晶格常數為3.88A0（20°C），因此質子氫的半徑為1.5倍，為10-5A0，它們通過鈀的表面進入膠囊并逸出并重組分子，而其他雜質（例如N2，CO2和其他雜質）既不溶解也不離子化，而是保留在鈀合金的另一面處于分子狀態，因此氫與所有氣體雜質均被分離。主要p氫純化的原理是利用鈀的高效選擇和對氫的滲透性來純化氫。