蝕刻氣體：蝕刻是在不進行光致抗蝕劑掩膜的情況下蝕刻掉基板上的氧化硅膜和金屬膜等處理表面，從而保留光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域，從而在基板上獲得表面。所需的成像圖形。蝕刻的基本要求是圖案的邊緣要整齊，線條清晰，圖案之間的差異很小，并且光致抗蝕劑膜及其掩膜保護層上不得有損傷和腐蝕。蝕刻方法包括濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。用于干法刻蝕的氣體稱為刻蝕氣體，通常是氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法刻蝕方向強，精確且方便，因此具有廣泛的應用范圍。工藝控制，無脫膠，無基材損壞和污染。